北京12寸半导体晶圆 昆山创米半导体供应

    结构500所包含的该金属层510的第四表面514并不是像该结构400所包含的该金属层310的第四表面314一样是平面。第四表面514的剖面相应于该金属层的第三表面513的剖面。该金属层510的第四表面514与该晶圆层320的***表面321的**短距离，要小于该金属层310的第四表面314与该晶圆层320的***表面321的**短距离。由于该结构500的金属层510的大部分比该结构400的金属层310的大部分较薄，因此可以节省金属本身的成本，也可以节省制作该金属层510的步骤的成本。请参考图5b所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构500的剖面示意图。图5b所示的实施例是图5a所示实施例的一种变形。和图5a的金属层510相比，图5b所示实施例的金属层510比较厚，北京12寸半导体晶圆。图5b所示实施例的其余特征均与图5a所示实施例相同。请参考图6所示，为根据本申请一实施例的半导体基板的结构的剖面600的一示意图。该结构的剖面600可以是图3所示结构300的aa线剖面，也可以是图4所示结构400的aa线剖面，还可以是图5b所示结构500的bb线剖面。为了方便说明起见，北京12寸半导体晶圆，北京12寸半导体晶圆，图6所示的实施例是图3所示的结构300，因此使用了金属层310与晶圆层320的符号。但本领域普通技术人员可以理解到，剖面600可以适用于结构400或500。半导体行业，晶圆制造和晶圆加工。北京12寸半导体晶圆

    在图8b所示的实施例当中，示出四个内框结构。本领域普通技术人员可以从图8a与图8b理解到，本申请并不限定内框结构的数量、位置、形状等配置的参数。在一实施例当中，如图8a所示，在内框结构821与822之处，晶圆层820的厚度与在边框结构的厚度是相同的。在另一实施例当中，内框结构821与822的厚度与边框结构的厚度可以是不同的。举例来说，在内框结构821与822的晶圆层厚度，可以较在边框结构的晶圆层厚度来得小。由于在芯片中间所承受的应力与/或热应力可以比在边缘来得小，因此可以使用较薄的内框结构作为补强。一方面降低基板结构的电阻值，另一方面还能补强基板结构。请参考图9所示，其为根据本申请一实施例的半导体基板的结构900的一剖面示意图。图9所示的结构900是在图8所示的结构800之下加入树酯层440。和图4所示的结构400一样，该树酯层440可以用于保护该结构900的金属层810，并且降低物理应力与热应力的影响，进而保护器件。在图8a与图9的实施例当中，在芯片中间的金属层810比较厚。由于金属层810的金属价格比树酯层440的树酯还要贵，制作较厚金属层810的步骤也比制作树酯层440的步骤更贵。如果在设计规格允许的情况下，可以制作较薄的金属层810，以便减少成本。咸阳美台半导体晶圆半导体晶圆市场价格是多少？

    τ1是气泡内的温度上升到高于临界内爆温度的时间间隔，τ2是气泡内的温度下降到远低于临界内爆温度的时间间隔。由于可控的非稳态的气穴振荡在清洗过程中具有一定的气泡内爆，因此，可控的非稳态的气穴振荡将提供更高的pre(particleremovalefficiency，颗粒去除效率)，而对图案结构造成**小的损伤。临界内爆温度是会导致***个气泡内爆的气泡内的**低温度。为了进一步提高pre，需要进一步提高气泡的温度，因此需要更长的时间τ1。通过缩短时间τ2来提高气泡的温度。超或兆声波的频率是控制内爆强度的另一个参数。可控的非稳态的气穴振荡是通过设置声波电源在时间间隔小于τ1内频率为f1，设置声波电源在时间间隔大于τ2内频率为f2，重复上述步骤直到晶圆被清洗干净，其中，f2远大于f1，**好是f1的2倍或4倍。通常，频率越高，内爆的强度越低。τ1是气泡内的温度上升到高于临界内爆温度的时间间隔，τ2是气泡内的温度下降到远低于临界内爆温度的时间间隔。可控的非稳态的气穴振荡将提供更高的pre(particleremovalefficiency，颗粒去除效率)，而对图案结构造成**小的损伤。临界内爆温度是会导致***个气泡内爆的气泡内的**低温度。为了进一步提高pre，需要进一步提高气泡的温度。

    以防止气泡长大到一个临界尺寸，从而堵住清洗液在通孔或槽中的交换路径。图20a至图20d揭示了根据本发明的一个实施例的声波晶圆清洗工艺有效清洗具有高深宽比的通孔或槽等特征。该晶圆清洗工艺限制由声能引起振荡产生的气泡的尺寸。图20a揭示了在时间段τ1内设置功率水平为p1及在时间段τ2内关闭电源的电源输出波形图。图20b揭示了对应每个气穴振荡周期的气泡体积的曲线图。图20c揭示了在每个气穴振荡周期气泡尺寸增大。图20d揭示了气泡的总体积vb与通孔、槽或其他凹进区域的体积vvtr的比值r的曲线图。根据r＝vb/vvtr＝nvb/vvtr这里，气泡的总体积vb与通孔、槽或其他凹进区域的体积vvtr的比值r从r0增大到rn，单个气泡的平均体积在气穴振荡一定周期数n后，在时间τ1内增大。rn被控制在饱和点rs之下。rn＝vb/vvtr＝nvb/vvtr气泡的总体积vb与通孔、槽或其他凹进区域的体积vvtr的比值r从rn减小到r0，单个气泡的平均体积在冷却过程中，在时间τ2内回到初始大小。参考图20b所示，在时间段τ1内，在超声波或兆声波作用于清洗液的情况下，气泡增大到大体积vn。在这种状态下，清洗液的传输路径部分受阻。新鲜的清洗液无法彻底进入到通孔或槽的底部和侧壁。与此同时。什么才可以称为半导体晶圆？

    该晶圆制作方法1500可以用于制作本申请所欲保护的其他基板结构，而不只限于基板结构1000。步骤1510：提供晶圆。该晶圆可以是图13或14所示的晶圆1300或1400。在图16a当中，可以看到晶圆层820的剖面。图16a的晶圆层820的上表面，是图10a实施例所说的第二表面822。步骤1520：根据所欲切割芯片的大小与图样，涂布屏蔽层。在图16b当中，可以看到屏蔽层1610的图样，形成在晶圆层820的上表面。而每一个芯片预定区域的屏蔽层1610的图样，至少要在该芯片的周围形成边框区域。当所欲实施的基板结构如同图8a~10b所示的基板结构800~1000，或是具有内框结构时，则屏蔽层1610的图样可以涵盖这些内框结构的区域。在一实施例当中，上述的屏蔽层可以是光阻层(photoresistlayer)，也可以是其他如氮化硅之类的屏蔽层。步骤1530：对晶圆进行蚀刻。蚀刻的方式可以包含湿式蚀刻、干式蚀刻、电浆蚀刻、反应离子蚀刻(rie,reactiveionetching)等。如图16c所示，蚀刻的深度可以约为该晶圆层820厚度的一半，但本申请并不限定蚀刻步骤的厚度。在步骤1530之后，形成芯片边缘的边框结构与/或芯片内部的方框结构。利用两个步骤1520与1530，可以形成该晶圆上所有芯片的晶圆层的全部边框结构与内框结构。半导体制程重要辅助设备。郑州半导体晶圆销售厂

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    在气泡内的气体和/或蒸汽温度降至室温t0或达到时间段τ2后(在时间段τ2内，设置电源输出为零)，电源输出恢复至频率f1及功率水平p1。在步骤15270中，检查晶圆的清洁度，如果晶圆尚未清洁到所需程度，则重复步骤15210-15260。或者，可能不需要在每个周期内检查清洁度，取而代之的是，使用的周期数可能是预先用样品晶圆通过经验确定。参考图15d所示，气泡内气体和/或蒸汽的温度不需要冷却至室温t0，但是**好使温度冷却至远低于内爆温度ti。此外，在步骤15250中，只要气泡膨胀力不破坏或损坏图案结构15034，气泡的尺寸可以略大于图案结构15034的间距w。参考图15d所示，步骤15240的持续时间可以从图7e所示的过程中经验地获得为τ1。在一些实施例中，图7至图14所示的晶圆清洗工艺可以与图15所示的晶圆清洗工艺相结合。图16a-16c揭示了根据本发明的一个实施例的晶圆清洗工艺。该晶圆清洗工艺与图7a-7e所示的相类似，除了图7d所示的步骤7050。在气泡内的气体和/或蒸汽的温度达到内爆温度ti之前或者在τ1达到根据公式(11)计算出的τi之前，设置电源输出为图16a所示的正的直流值或是图16b和图16c所示的负的直流值。结果，气泡内的气体和/或蒸汽温度开始降低。北京12寸半导体晶圆

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